環境低負荷製品の開発
SiC(シリコンカーバイド)基板の開発

シリコンカーバイドウェハ

当社は2017年10月、加賀電子株式会社と、同社の子会社である株式会社サイコックスの株式の51%を取得する株式譲渡契約および合弁契約を締結しました。

サイコックスは、接合技術を応用したSiC基板の製造技術を保有する開発会社です。SiCは、電力の制御を行なうパワー半導体などに使用される半導体材料として今後需要の拡大が期待されています。SiCを使用したパワー半導体は、エネルギー損失の低減や機器の小型化を可能とするため、特にハイブリッド車や電気自動車などの分野において、新たな市場の創生が見込まれます。

サイコックスが保有する接合技術は、このSiC基板の課題となっている製造コストを大幅に低減するものです。当社は、サイコックスの独自技術と、当社が蓄積してきた基板生産技術を融合させ、SiC基板の量産化に向けた開発を進めていきます。さらに加賀電子のエレクトロニクス分野における情報収集力や販売網の活用を図り、迅速な事業化をめざします。

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