パワー半導体材料の貼り合わせSiC基板「SiCkrest」、世界初の12インチ基板開発に成功

2026年9月18日
住友金属鉱山株式会社

住友金属鉱山株式会社（本社：東京都港区）は、このたび、世界初（※）となる12インチ（300mm）の貼り合わせシリコンカーバイド（SiC）基板「SiCkrest®」（サイクレスト®）の開発に成功し、半導体メーカーへのサンプル出荷を行いました。
パワー半導体市場におけるSiC基板の大口径化ニーズに合致する重要な技術的成果として、9月27日(日)から10月2日(金)までパシフィコ横浜ノース（神奈川県横浜市西区）で開催される国際会議「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2026」（ICSCRM 2026）のブースG-2で、本基板を展示します。

（※）住友金属鉱山調べ。貼り合わせで12インチのSiC基板として世界初。