概要
安定した単結晶育成技術に加え、加工精度の向上に注力。業界トップクラスの平坦度を実現いたしました。
品質特性
| Oxide Crystals | LiNbO3 | LiTaO3 | ||
|---|---|---|---|---|
| Growth method | CZ (Czochralski) | CZ (Czochralski) | ||
| Crystal | Single Crystal | Single Crystal | ||
| Use for | SAW | SAW | ||
| Wafer size | 4" | 6" | 4" | 6" |
| Diameter (mm) | 100.0 ± 0.2 | 150.0 ± 0.2 | 100.0 ± 0.2 | 150.0 ± 0.2 |
| Thickness (μm) | 350 ± 20 | 500 ± 20 | 200/350 ± 20 | 200/350 ± 20 |
| Orientation | 128º Rotated Y axis | 128º Rotated Y axis | 36-50º Rotated Y axis | 36-50º Rotated Y axis |
| Orientation Flat (mm) | 32.5 ± 1.0 | 47.5 ± 1.0 | 32.5 ± 1.0 | 47.5 ± 1.0 |
| NTV (μm) | ≦4 | ≦4 | ≦4 | ≦4 |
| PLNTV (≦0.5μm, site size 5mm) (%) | 100 | 100 | 100 | 100 |
| Sori (μm) | ≦50 | ≦50 | ≦50 | ≦75/≦50 |
| Surface:Front side | Polished | Polished | Polished | Polished |
| Surface:Back side | Lapped (GC #2000) |
Lapped (GC #2000) |
Lapped (GC#1000) |
Lapped (GC#2000/GC#1000) |
用途
タンタル酸リチウム（LT）、ニオブ酸リチウム（LN）の最も大きい用途は、通信端末に搭載されるSAWデバイス用途です。日常、スマートフォンなどの通信端末が数多く使用されています。音声通信やデータ通信を行う場合、雑音や混信を防ぐためのフィルターとして、SAWフィルターやSAWデュプレクサ等のSAWデバイスが通信機器の中に搭載されています。